W06_Tranzystory_polowe.pdf

(1734 KB) Pobierz
Tranzystory polowe
Podział
Tranzystor polowy
(FET)
Złączowy
(JFET)
Z izolowaną bramką
(IGFET)
ze złączem m-s
(MSFET)
ze złączem PN
(PNFET)
Typu MOS
(MOSFET, HEXFET)
cienkowarstwowy
(TFT)
z kanałem zuobożanym
(normalnie włączone)
z kanałem wzbogacanym
(normalnie wyłączone)
z kanałem typu N
z kanałem typu P
Tranzystor PNFET (JFET)
Drain
D
G
Kanał N
S
Gate
p+
n
p+
Gate
D
G
Source
Kanał P
S
1
Tranzystor JFET – zasada działania
I
D
U
GS1
< U
GS2
I
D
U
DS
=0.1V
+
-
p+
n
U
DS
=0.1V
+
-
n
p+
p+
p+
U
GS1
warstwa
zaporowa
Tranzystor JFET – zasada działania
I
D
U
GS1
< U
GS2
U
DS
=10V
+
-
p+
n
p+
U
GS1
warstwa
zaporowa
Tranzystor JFET – charakterystyki
+
-
+
-
+
+
-
-
U
GS2
warstwa
zaporowa
I
D
n
U
DS
=10V
+
-
p+
p+
U
GS2
warstwa
zaporowa
2
Tranzystor JFET – charakterystyki
Tranzystor JFET – charakterystyki
Tranzystor JFET – parametry
Parametry statyczne:
-
napiecie progowe U
p
- prąd drenu I
DSS
(U
GS
= 0)
- rezystancja w stanie włączenia r
ds
- maksymalny prąd bramki I
Gmax
- prąd drenu w stanie odcięcia I
Dmin
Parametry dynamiczne:
-
transkonduktancja g
mm
- pojemność wejściowa C
weS
- pojemność wyjściowa C
wyS
- pojemność zwrotna C
wS
- pole wzmocnienia f
S
- czas włączenia t
on
- czas wyłączenia t
off
3
Tranzystor JFET – parametry
Parametry graniczne:
-
maksymalne napięcie
źródło
dren U
DSmax
- maksymalny prąd drenu I
Dmax
- maksymalne napięcie bramka –
źródło
U
GSmax
- moc strat P
max
Tranzystor JFET – punkt pracy
Tranzystor JFET – ograniczenia
4
Tranzystory polowe– punkt pracy
Tranzystor JFET – statyczny nieliniowy model
wielkosygnałowy (zakres pentodowy)
G
D
-U
GS
U
I
DSS
1
−
GS
U
P
2
S
Tranzystor JFET – dynamiczny nieliniowy
model wielkosygnałowy (zakres pentodowy)
G
C
gd
D
C
gs
U
I
DSS
1
−
GS
U
P
2
S
Pojemności C
gs
i C
gd
– rzędu pF
Praca impulsowa tranzystora będzie omówiona na
przykładzie tranzystora MOS
5

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin